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BSS138N L6327 /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSS138N L6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:SIPMOS®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):230mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 230mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):41pF @ 25V

功率 - 最大值:360mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:PG-SOT23-3

其它名称:BSS138N L6327-NDBSS138NL6327HTSA1BSS138NL6327INTRBSS138NL6327XTSP000074207

供应商BSS138N L6327
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